|
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
406 |
85 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
385 |
82 |
|
|
|
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
383 |
88 |
|
|
|
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
475 |
94 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
385 |
80 |
|
|
|
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
604 |
117 |
|
|
|
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
506 |
104 |
|
|
|
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
743 |
125 |
|
|
|
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
707 |
157 |
|
|
|
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
631 |
122 |
|
|
|
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
393 |
91 |
|
|
|
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)
|
0.61 |
371 |
74 |
|
|
|
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
397 |
91 |
|
|
|
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
375 |
94 |
|
|
|
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
743 |
120 |
|
|
|
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)
|
0.61 |
406 |
76 |
|
|
|
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)
|
0.61 |
388 |
101 |
|
|
|
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
381 |
86 |
|
|
|
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
502 |
98 |
|
|
|
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
496 |
102 |
|
|
|
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
493 |
96 |
|
|
|
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
805 |
187 |
|
|
|
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
594 |
108 |
|
|
|
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
510 |
90 |
|
|
|
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
620 |
106 |
|
|
|
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
541 |
109 |
|
|
|
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
460 |
98 |
|
|
|
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.61 |
475 |
94 |
|
|
|
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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