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Características de los CI 2N2222 y 1N4148. (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.21 692 89
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.14 376 59
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.14 363 64
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.14 407 61
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.14 429 78
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.14 396 75
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.14 389 72
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 457 98
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.10 369 73
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 380 86
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 592 108
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 365 100
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 804 187
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 370 95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 379 96
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 372 88
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 406 85
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 491 96
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 385 82
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 383 88
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 617 105
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 508 90
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 392 91
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 495 102
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 475 91
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 540 109
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 475 94
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 385 80
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 501 98
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 474 94
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 396 91
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 372 93
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.10 404 76
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 742 120
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 630 122
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 604 117
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 506 104
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.10 386 101
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 743 125
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.10 707 157