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Published Date
2004
(28)
Display Type
Objeto de aprendizaje
(28)
Collection
Set de Objetos de aprendizaje de la UNED
(28)
Set de openaire
(28)
Electrónica Analógica
(28)
Objetos digitales primer curso
(28)
(28)
Keywords
Electrónica
(28)
http://udcdata.info/042064
(28)
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
457
98
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
380
86
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
592
108
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
365
100
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
804
187
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
370
95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
379
96
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
372
88
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
406
85
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
491
96
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
385
82
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
383
88
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
617
105
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
508
90
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
392
91
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
495
102
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
475
91
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
540
109
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
475
94
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
385
80
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
501
98
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
474
94
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
742
120
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
630
122
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
604
117
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
506
104
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
743
125
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
1.25
707
157