Search Results (All Fields:"característica", Author:"Alfonso Vara de Llano")

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Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 457 98
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 380 86
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 592 108
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 365 100
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 804 187
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 370 95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 379 96
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 372 88
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 406 85
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 491 96
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 385 82
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 383 88
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 617 105
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 508 90
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 392 91
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 495 102
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 475 91
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 540 109
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 475 94
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 385 80
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 501 98
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 474 94
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 742 120
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 630 122
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 604 117
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 506 104
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 743 125
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.45 707 157