Search Results (All Fields:"característica", Author:"Santiago Emilio Acha Alegre")

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Características de los CI 2N2222 y 1N4148. (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.88 692 89
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.84 376 59
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.84 363 64
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.84 407 61
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.84 429 78
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.84 396 75
Curva característica de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.84 389 72
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.81 369 73
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.81 396 91
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  3.81 372 93
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.81 404 76
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)  3.81 386 101
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 457 98
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 380 86
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 592 108
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 365 100
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 804 187
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 370 95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 379 96
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 372 88
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 406 85
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 491 96
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 385 82
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 383 88
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 617 105
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 508 90
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 392 91
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 495 102
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 475 91
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 540 109
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 475 94
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 385 80
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 501 98
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 474 94
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 742 120
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 706 157
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 630 122
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 604 117
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 506 104
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.17 743 125