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Muguruza Cañas, Carmen . (1990) Las características suburbanas del sector noroeste del área metropolitana de Madrid.
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0.57 |
502 |
2038 |
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Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
406 |
85 |
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Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
491 |
96 |
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Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
385 |
82 |
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Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
383 |
88 |
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Alvarez Yágüez, Jorge . (1998) Bellum versus agora.
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0.57 |
425 |
347 |
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Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
617 |
105 |
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Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
508 |
90 |
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Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
392 |
91 |
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Sandín, Bonifacio . (2005) El síndrome de fatiga crónica : características Psicológicas y Terapia Cognitivo-Conductual.
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0.57 |
547 |
3464 |
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|
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
495 |
102 |
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|
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
475 |
91 |
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Rodriguez Torres, Jhon Alexander, Niño Suarez, Paola Andrea y Mauledoux Monroy, Mauricio Felipe(2022) .Actuadores de rigidez variable en dispositivos robóticos de tipo exoesqueleto para entrenamiento de extremidad superior. .En: Universidad Politécnica de Madrid. ()
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0.57 |
169 |
91 |
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|
|
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
540 |
109 |
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|
|
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.57 |
475 |
94 |
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|
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
385 |
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0.57 |
204 |
90 |
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Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.57 |
501 |
98 |
|
|
|
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.57 |
474 |
94 |
|
|
|
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.57 |
396 |
91 |
|
|
|
Característica de salida a nivel bajo de una puerta NAND TTL-Estándar (soluc. alternativa) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.57 |
372 |
93 |
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|
|
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.57 |
742 |
120 |
|
|
|
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
|
0.57 |
630 |
122 |
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Pérez Rivas, Natalia, Domínguez Fernández, Mercedes y Rodríguez Calvo, María Sol . (2016) El delito de maltrato habitual: características sociodemográficas, penales y criminológicas.
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0.57 |
502 |
115 |
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|
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
604 |
117 |
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|
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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0.57 |
506 |
104 |
|
|
|
Característica de salida a nivel alto de una puerta NAND TTL-Estándar (Requiere Plataforma OrCAD 9.1 ó superior)
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0.57 |
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Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)
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